Continuando mi aporte de los estudios realizados a los semiconductores CuInTe2 y CuGaTe2 obtenidos por la técnica de telurización, en este post les presento algunos resultados de as transiciones térmicas desde temperatura ambiente hasta 1100 ºC. La temperatura de fusión, transición de fase en el estado sólido y la posible presencia de fases secundarias fueron determinadas mediante la técnica del análisis térmico diferencial, mejor conocida en español como ATD.

En la siguiente tabla se dan los valores de la temperatura correspondiente al punto de fusión y cambio de estructura en el estado sólido, observados en los lingotes estudiados y en la figura se muestran dos termogramas representativos, tanto de CIT como de CGT. El error en la determinación de la temperatura es de +-3 ºC en CIT y +-8 ºC en CGT.

Valores de la temperatura del punto de fusión y del cambio estructural de los lingotes obtenidos a diferentes temperaturas de telurización y por Bridgman vertical. Se incluyen los valores reportados en la literatura.

Termogramas representativos de los lingotes: (a) CIT y (b) CGT, en los que se observan la transición de fase y el punto de fusión durante el calentamiento.

En la tabla se observa que alrededor de 670+-3 ºC las muestras de CIT, en general, experimentan un cambio de fase sólido-sólido asociada a la transición de la estructura ordenada de la calcopirita hacia la estructura desordenada de la esfalerita. La temperatura de esta transición varía de 664 a 673 ºC dependiendo del lingote. Esto podría ser debido a la pequeña desviación en la estequiometría. Tanto esto como el punto de fusión (789+-2 ºC) de cada muestra concuerda con lo reportado por Palatnik y Rogacheva en su diagrama de fases.

En el caso del CuGaTe2, la temperatura de transición varía de 783 a 800 ºC, mientras que el punto de fusión es alrededor de 860 °C. Estos resultados son diferentes a los reportados, tanto en el número de picos observados como en la temperatura de transición de fase. Esto probablemente se relaciona con la inhomogeneidad y al carácter policristalino de las muestras estudiadas por otros investigadores.

Referencias de interés:
• L. Shay and J. H. Wernick. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. Pergamon Press, New York, (1975).
• G. Marín, S. M. Wasim, G. Sánchez Pérez, P. Bocaranda, and A. E. Mora. J. Electron. Mater., 27 (1998) 1351.